Definition af Insulated Gate Bipolar Transistor

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) er en sammensat fuldt styret, spændings-drevet effekthalvlederenhed, der kombinerer fordelene ved MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) og BJT (Bipolar Junction Transistor).

 

Kerne definitionspunkter
Struktursammensætning: Kombinerer den høje inputimpedans og spændingsdrevne-egenskaber for en MOSFET med en BJT's lave ledningsspændingsfald og høje strømførende-evne.

 

Arbejdsprincip: Ved at påføre spænding til porten for at styre kanaldannelse, leverer den basisstrøm til PNP-transistoren, hvilket opnår at-tændes eller slukkes-.

 

Terminalstruktur: Har tre elektroder - Gate (G), Collector (C) og Emitter (E).

 

Vigtigste fordele
Høj indgangsimpedans (ligner MOSFET, lav drivkraft)

Lavt ledningsspændingsfald (svarende til BJT, lavt ledningstab)

Velegnet til applikationer med høj spænding, høj strøm og medium til høj-frekvens