Industry

Kerneprincippet for DC-motorer er baseret på elektromagnetisk induktion: Når strømmen passerer gennem statorviklingerne, genereres et fast magnetfelt.

Designkonceptet for Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) fokuserer på at kombinere fordelene ved power MOSFET'er og bipolære junction transistorer

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT'er) er sammensatte effekthalvlederenheder til højspænding, højstrøm og høj-omskiftning.

I halv-bro/fuld-brotopologier skal dødtid (typisk 0,5~2μs) indsættes under omskiftning af øvre og nedre transistorer for at forhindre direkte kortslut

I lighed med MOSFET'er er IGBT'er spændings-drevne enheder, hvor porten næsten ikke forbruger strøm, hvilket gør drivkredsløbet enkelt og lavt-effekt.

Fungerer som en koblingsenhed for at opnå effektiv konvertering mellem DC og AC (såsom DC/AC-inversion).

Arbejdsprincippet for Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Tips til brug af Humanoid Robot Key Module

Nøglemodulfunktioner af humanoide robotter

Definition af Insulated Gate Bipolar Transistor

Rammeløs momentmotorstruktur

Sådan vedligeholdes en stepmotor