Definition af Insulated Gate Bipolar Transistor

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) er en sammensat fuldt styret, spændings-drevet effekthalvlederenhed, der kombinerer fordelene ved MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) og BJT (Bipolar Junction Transistor).

 

Kerne definitionspunkter
Struktursammensætning: Sammensat af de høje inputimpedans og spændingsdrevne-egenskaber for en MOSFET kombineret med en BJT's lave ledningsspændingsfald og høje strømføringsevne.

Arbejdsprincip: Ved at påføre spænding til porten for at styre kanaldannelse, leverer den basisstrøm til PNP-transistoren, hvilket opnår at-tændes eller slukkes-.

Terminalstruktur: Den har tre terminaler-Gate (G), Collector (C) og Emitter (E).

 

Vigtigste fordele:
Høj indgangsimpedans (som MOSFET, lav drivkraft)
Lavt ledningsspændingsfald (som BJT, lavt ledningstab)
Velegnet til højspænding, høj strøm og medium-højfrekvente applikationer